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二維材料

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二硫化鉬/二硒化鉬 MoS2/MoSe2異質(zhì)結

兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結構的異質(zhì)結材料

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更新日期：2026-04-09

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MoS2/WS2異質(zhì)結

兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結構的異質(zhì)結材料。

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MoS2/WS2/hBN/Graphene異質(zhì)結

兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結構的異質(zhì)結材料

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二硫化鎢/二硒化鎢 WS2/WSe2異質(zhì)結

兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結構的異質(zhì)結材料。

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二硫化鉬二硒化鎢 MoS2WSe2異質(zhì)結

兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結構的異質(zhì)結材料

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CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結構（8片裝）

CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

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